集成电路衬底硅片的超声波清洗工艺
科力超声-提供全方位的工业超声清洗技术

①超声波清洗剂清洗：将1号槽中 放人清洗剂并加入5-10倍去离子水，将硅片装入花篮中，超声波常温浸泡清洗 5-10min

②超声波清洗剂清洗：将2号槽中 放人清洗剂并加入5-10倍去离子水加热到50〜60°C，将硅片花篮从第一槽中取出，放入第二槽， 进行超声清洗5-10min

③超声波DI水漂洗： 将DI水放入第三槽（第四槽溢流至第三槽），加热到50〜 60°C，将硅片花篮从第二槽中取出，放入 第三槽，进行超声DI水漂洗5-10min

④超声波DI水漂洗：将DI水注入第四槽，加热到 50〜60°C，将硅片花篮从第三槽中取出， 放人第四槽，进行超声DI水漂洗5-10min

⑤喷淋清洗: 用温度为50〜60°C的DI水对硅片进行喷淋清洗，时间为2〜5min;

⑥烘干：用热风或 红外进行烘干，时间为3〜5min。

超声波清洗机特点此超声波清洗工艺能够克服刷片清洗 和RCA清洗自身难以克服的缺点，达到 较好的清洗效果；工艺简单，操作方便； 满足环保要求。主要用途适用于各种集成电路清洗、 电子设备清洗及电子仪器清洗等。安全性一般对各种晶集成电路及半导 体清洗等均无腐蚀，不含氟利昂和氢氯氟 烃类物质，不易燃，挥发速率极快，不留 任何残渣；安全、环保。

超音波清洗根据使用频率的不同，清洗的机理和用途也不同。一般来说，在低频中容易发生被称为气蚀现象(Cavitation)的现象，利用气泡破裂时的冲击波可以进行强力的清洗。另一方面，在高频中，液体分子的加速度运动的影响很大，可以进行比较平稳的清洗。

清洗力和对工作(被洗净物)的伤害是折中的关系，根据洗净对象的【脏污】的种类和工作的强度来选择适当的频率是很重要的。